Prof. Raimund Förg
Leitung
Projekte
Campusleitung TC Teisnach Sensorik
Labore
Technologie Campus Teisnach Sensorik für Industrie 4.0
Kernkompetenzen
Sensorik/Industrielle Sensorik Neue Materialien Mikrosystemtechnik/Halbleiterphysik Neue Funktionalitäten von Glas Statistik Spektroskopie Grundlagen Elektrotechnik Innovationsmethodik
Vita
Seit 08.2019 Campusleitung Technologiecampus Teisnach Sensorik I4.0
Seit 11.2013 Professor an der Technischen Hochschule Deggendorf im Bereich Materialwissenschaften
und Mikrosystemtechnik. Bis 08/19 Campusleitung des Technologie Anwender Zentrums
(TAZ) Spiegelau mit den Schwerpunkten Warmumformung und Analytik, bezogen auf den
Glas Bereich.
06.2010 – 10.2013 Senior Manager Research and Funding für die Halbleiterfertigung bei IFX am Standort
Regensburg. Aufbau und Entwicklung von Kooperationen mit Forschungseinrichtungen,
Hochschulen und Universitäten um die Innovationskraft des Standortes zu stärken.
06.2003 – 05.2010 Fachabteilungsleiter Einzelprozessentwicklung bei der Infineon AG an den Standorten
Regensburg, Villach und München. Betreuung der Bereiche Ofentechnik, Nasschemie,
Implantation, LPCVD und ALCVD.
11.2002 - 06.2003 Abteilungsleiter Einzelprozesstechnik der Halbleiterfertigung in Schweden/Kista (vorher
Ericsson).
06.2000 - 11.2002 Dienststellenleiter Prozesstechnik, Fertigung, Instandhaltung der Ofentechnik (Oxidation,
LPCVD, APCVD, RTP) in der Halbleiter Fertigungslinie München Perlach der Infineon AG.
03.1998 – 06.2000 Einzelprozessingenieur in der Halbleiterfertigung München Perlach bei der Infineon AG.
Mit der Verantwortung für die Sicherstellung der Produktion und der Entwicklung in den
Bereichen Ofentechnik (LPCVD, Diffusion, Belegung) und Abscheidung (PVD, Sputtern).
11.1991 - 02.1998 Studium Dipl. Physik an der Universität Regensburg
Abschlussnote: 1,3
Diplomarbeit: Dünnschicht – Thermoelemente
Sonstiges
Patente:
US000009224633B2 29.12.2015 [EN] Method for manufacturing a composite wafer having a graphite core, and composite wafer having a graphite core DE102015109573A1 17.12.2015 [DE] Membranstrukturen für mikroelektromechanische Pixel- und Anzeigevorrichtungen und -systeme sowie Verfahren zur Ausbildung von Membranstrukturen und damit zusammenhängende Vorrichtungen US020150362722A1 17.12.2015 [EN] MEMBRANE STRUCTURES FOR MICROELECTROMECHANICAL PIXEL AND DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS, AND METHODS FOR FORMING MEMBRANE STRUCTURES AND RELATED DEVICES DE102014107018A1 19.11.2015 [DE] Halbleitervorrichtung mit lötbaren und bondbaren elektrischen Kontaktplättchen US020150333023A1 19.11.2015 [EN] Semiconductor Device Having Solderable and Bondable Electrical Contact Pads US020150279941A1 01.10.2015 [EN] Composite Wafer Having a Graphite Core DE102015201385A1 13.08.2015 [DE] Elektrischer Kontakt für ein Graphenteil US020150214303A1 30.07.2015 [EN] Electrical Contact for Graphene Part CN000104810254A 29.07.2015 [EN] Electrical Contact for Graphene Part DE102009027008B4 02.07.2015 [DE] Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements oder eines Transistorbauelements mit einer dünnen Fremdmaterialschicht in einem Halbleiterkörper DE102014109870A1 22.01.2015 [DE] Elektronische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Vorrichtung US020150021792A1 22.01.2015 [EN] ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING AN ELECTRONIC DEVICE CN000104299953A 21.01.2015 [EN] Electronic device and method for fabricating the same US020140335676A1 13.11.2014 [EN] METHOD FOR MANUFACTURING A COMPOSITE WAFER HAVING A GRAPHITE CORE, AND COMPOSITE WAFER HAVING A GRAPHITE CORE US000008822306B2 02.09.2014 [EN] Method for manufacturing a composite wafer having a graphite core, and composite wafer having a graphite core US020140070232A1 13.03.2014 [EN] Method for Manufacturing a Composite Wafer Having a Graphite Core, and Composite Wafer Having a Graphite Core DE102008056390B4 10.10.2013 [DE] Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben FR000002987168A1 23.08.2013 [FR] PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TRANCHE COMPOSITE AYANT UN NOYAU DE GRAPHITE, ET TRANCHE COMPOSITE AYANT UN NOYAU DE GRAPHITE DE102012103769A1 11.04.2013 [DE] Ätzvorrichtung und Verfahren zum Ätzen eines Materials eines Werkstücks US000008404562B2 26.03.2013 [EN] Method for manufacturing a composite wafer having a graphite core, and composite wafer having a graphite core FR000002979033A1 15.02.2013 [EN] Manufacturing composite wafer, comprises depositing molding composition having carbon powder and pitch on second side of semiconductor wafer and annealing deposited composition to form graphite … US020120273462A1 01.11.2012 [EN] ETCHING DEVICE AND A METHOD FOR ETCHING A MATERIAL OF A WORKPIECE CN000102760672A 31.10.2012 [EN] Etching device and a method for etching a material of a workpiece US000008183156B2 22.05.2012 [EN] Method of etching a material surface CN000102446706A 09.05.2012 [EN] Composite wafer having graphite core and method for manufacturing same DE102011054035A1 19.04.2012 [DE] Ein Verfahren zum Herstellen eines Verbundwafers mit einem Graphitkern und ein Verbundwafer mit einem Graphitkern US020120083098A1 05.04.2012 [EN] Method for Manufacturing a Composite Wafer Having a Graphite Core, and Composite Wafer Having a Graphite Core US020120080690A1 05.04.2012 [EN] Method for Manufacturing a Composite Wafer Having a Graphite Core, and Composite Wafer Having a Graphite Core US000007947569B2 24.05.2011 [EN] Method for producing a semiconductor including a foreign material layer DE102006036076B4 19.05.2011 [DE] Verfahren zum Herstellen eines Kondensatorbauelements DE102008056390A1 19.08.2010 [DE] Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben US000007763520B2 27.07.2010 [EN] Capacitor device with a layer structure disposed in a meander-shaped manner JP002010045335A 25.02.2010 [EN] METHOD FOR PRODUCING MATERIAL LAYER IN SEMICONDUCTOR BODY DE102009027008A1 07.01.2010 [DE] Verfahren zur Herstellung einer Materialschicht in einem Halbleiterkörper US020090325361A1 31.12.2009 [EN] METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR INCLUDING A MATERIAL LAYER US020090305510A1 10.12.2009 [EN] Method of Etching a Material Surface US020090122460A1 14.05.2009 [EN] Semiconductor Device and Method for Producing the Same DE102005024945B4 26.06.2008 [DE] Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung sowie Verfahren zu deren Herstellung DE102006036076A1 07.02.2008 [DE] Kondensatorbauelement mit einer mäanderförmig angeordneter Schichtstruktur US020080029799A1 07.02.2008 [EN] CAPACITOR DEVICE WITH A LAYER STRUCTURE DISPOSED IN A MEANDER-SHAPED DE102005024945A1 28.12.2006 [DE] Integriete Halbleiterschaltungsanordnung sowie Verfahren zu deren Herstellung [EN] Semiconductor integrated circuit (IC) arrangement used in e.g. logic circuits, high-frequency (HF) amplifier circuits, … DE000019804487C2 25.11.1999 [DE] Thermoelektrischer Detektor zur Detektion von kontinuierlicher und gepulster Strahlung und Verfahren zur Herstellung DE000019804487A1 26.08.1999 [DE] Thermoelektrischer Detektor zur Detektion von kontinuierlicher und gepulster Strahlung und Verfahren zur Herstellung [EN] Thermoelectrical detector for detecting continuous, pulsed radiation, e.g. …